Транзистор IRGP50B60PD1PBF Infineon Technologies

563.51р.
3-5 раб. дней
  • Тип: IGBT
  • Максимальное напряжение сток-исток, В: 600
  • Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 75
  • Заряд затвора, нКл: 205
  • Описание: 600V, 75A, 390W IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)
  • Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 4 В
  • Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
  • Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
  • Мощность: рассеиваемая (Pd) - 390 Вт
  • Вес брутто: 7.88
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247
  • Упаковка: TUBE, 400 шт.

Тэги: Транзистор IRGP50B60PD1PBF Infineon Technologies