Транзистор IRGP50B60PD1PBF Infineon Technologies
- Производитель:
- 0
563.51р.
3-5 раб. дней
- Тип: IGBT
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 600
- Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 75
- Заряд затвора, нКл: 205
- Описание: 600V, 75A, 390W IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 4 В
- Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
- Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
- Мощность: рассеиваемая (Pd) - 390 Вт
- Вес брутто: 7.88
- Способ монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247
- Упаковка: TUBE, 400 шт.